Les Samsung Tech Days ont apporté des précisions sur la mémoire Flash NAND Samsung V7 QLC. En effet, avec cette future technologie l’entreprise va améliorer les performances des SSD NVMe et SATA. Quelles sont ses performances et quelles nouvelles apporte-t-il ?
Samsung V7 QLC : La puce passe à 176 couches
Les puces de NAND QLC (Quad Level Cell) sont à l’origine une technologie avec quatre bits par cellule et 16 états de tension possibles. Comme leur nom l’indique, elles permettent de stocker quatre bits par cellule et la capacité de stockage augmente d’au moins 33 % par rapport aux solutions de stockage TLC. Cette technologie supporte environ 1 000 cycles écriture/effacement (ce qui n’est pas énorme) et possède une capacité de stockage plus grande pour un prix plus bas.
L’évolution des puces de mémoire QLC NAND a commencé en 2018 avec le Samsung 860 QVO basé sur les puces de 4e génération (V4) avec une conception à 64 couches. Puis est arrivée la 5e génération (V5) avec le Samsung 870 QVO qui est conçu avec 96 couches. Enfin, dans un futur proche on passe directement à la V7 avec 176 couches en sautant la V6 et ses 128 couches.
En termes de performances, le SSD Samsung 870 QVO de 5e génération propose une vitesse de 160 Mo/s. Le V7 QLC offrira des performances 2,7 fois supérieures en écriture et 2,6 fois supérieures en lecture par rapport à la V4. Une performance en hausse pour les SSD QLC se traduisant par des vitesses d’environ 320 Mo/s. Des performances qui restent plus lentes que la plupart des SSD TLC à +/- 430 Mo/s.
Avec le développement de la QLC-NAND, Samsung souhaite l’étendre à davantage de segments de produits. Avec la troisième génération V7 QLC, l’entreprise vise le segment du mobile.
Jaihyuk Song, responsable des produits et technologies Flash attend beaucoup de cette technologie en déclarant à la fin du chapitre de la présentation :
« Le moment est venu pour QLC de briller »
