ULTRA RAM : une nouvelle technologie alliant RAM et stockage

Qui n’en a jamais rêvé ? Une technologie alliant le meilleur des deux mondes avec d’un côté la mémoire RAM et de l’autre côté la capacité de stockage. Ce sont des chercheurs de l’Université de Lancaster (Royaume-Uni) qui l’ont annoncé : voici l’ULTRA RAM, une solution servant à la fois de RAM et de stockage. De plus, cette technologie serait déjà prête à entrer dans une production en série. L’ULTRA RAM est décrite comme une combinaison de : «  la non-volatilité d’une mémoire de stockage de données telle que flash avec la vitesse, l’efficacité énergétique et l’endurance d’une mémoire de travail, telle que la DRAM.  »

Des scientifiques ont créé une mémoire universelle servant à la fois de RAM et de stockage, voici l’ULTRA RAM

Cette nouvelle technologie bénéficie de plusieurs avantages assez appréciables. En effet, nous trouvons une plus grande intégrité des données avec une durabilité estimée d’au moins 1000 ans. Mais nous avons aussi une vitesse de commutation rapide et une résistance aux cycles d’écritures/effacement de 100 à 1000 fois supérieure que sur une technologie de mémoire flash. Bien évidemment, les performances sont similaires à de la DRAM et peut s’adapter aussi bien à des ordinateurs qu’à des appareils mobiles.

L’équipe de Lancaster a résolu le paradoxe de la mémoire universelle en exploitant un effet de mécanique quantique appelé effet tunnel résonant qui permet à une barrière de passer d’opaque à transparente en appliquant une petite tension.

« Ces nouveaux résultats confirment les propriétés étonnantes de l’ULTRA RAM, nous permettant de démontrer son potentiel en tant que mémoire rapide efficace et non volatile avec une endurance élevée »,

 

A déclaré Manus Hayne, professeur à la tête de la recherche.

Rappelons que nous avons actuellement deux types de mémoire avec la DRAM qui est rapide et volatile (les données sont perdues une fois que les composants ne sont plus alimentés), mais aussi la mémoire Flash. Celle-ci est non volatile et sert à stocker des données comme pour un SSD ou une clé USB. La mémoire flash est lente comparativement à la DRAM et s’use rapidement. La « mémoire universelle » allie justement ces deux usages.

Afin de garantir des coûts de production de masse aussi bas que possible, les scientifiques travaillent encore à améliorer la qualité, le processus de fabrication et l’évolutivité de la technologie ULTRA RAM. Si ce type de mémoire doit arriver sur le marché dans les prochaines années, elle sera sans aucun doute plus chère que les solutions DDR que nous connaissons aujourd’hui. Il ne reste plus qu’à voir comment tout ceci va évoluer et comment cela sera mis en pratique.

« Les tests de dispositifs de mémoire à cellule unique fabriqués montrent un grand potentiel, avec des dispositifs démontrant une fenêtre de mémoire claire pendant les opérations de programmation/effacement de ≤10 ms, ce qui est remarquablement rapide pour les dispositifs de 10 et 20 µm de longueur. La tension de réglage/effacement de ≈2,5 v et la faible capacité surfacique du périphérique entraînent une énergie de commutation par unité de surface 100 et 1000 fois inférieure à celle de la DRAM et du flash, respectivement.

Des temps de rétention extrapolés de plus de 1 000 ans et des tests d’endurance sans dégradation de plus de 107 cycles de programmation et d’effacement démontrent que ces mémoires sont non volatiles et très durables. Des travaux sont actuellement en cours pour améliorer la qualité épitaxiale, ajuster le processus de fabrication, mettre en œuvre une conception de canal normalement désactivée et étendre les dispositifs. «