Les barrettes mémoires reposent sur un principe simple, efficace, mais qui a potentiellement fait son temps. En effet, avec la mémoire RAM aujourd’hui nous rencontrons trois facteurs limitant l’avancée : la fréquence, la capacité et la tension. Trois facteurs avec lesquels il faut réussir à jouer pour aller toujours plus loin. Mais alors, et si nous avions une nouvelle technologie permettant de faire un bond considérable en avant ? C’est ce que semble proposer Neo Semiconductor avec sa 3D X-DRAM.
X-DRAM 3D : le futur de la mémoire RAM sur nos PC ?
La mémoire 3D X-DRAM reposerait sur un principe semblable à la mémoire NAND Flash que nous trouvons dans nos SSD. La mémoire classique repose sur des procédés en « 2D » tandis que la technologie de Neo Semiconductor et comme son nom l’indique, repose sur un procédé en 3D. Cela a logiquement un avantage économique important, car la R&D et les avancées ont été lentes sur ces dernières années. En effet, depuis quelques années la recherche se concentrait essentiellement sur la vitesse des puces et non sur la quantité, même si nous avons récemment vu des modules mémoires débarquer en 24 et 48 Go représentant un bond en avant intéressant. Ici avec cette nouvelle technologie, on parlerait de module de 128 Go.
Concrètement, cette façon de concevoir et de créer de la 3D X-DRAM est complètement nouvelle et a beaucoup de points communs avec la Flash NAND 3D actuelle. Selon l’entreprise, les brevets ont été officiellement publiés aux États-Unis et c’est à cette occasion que l’annonce a été faite :
« La X-DRAM 3D sera le futur moteur de croissance absolu de l’industrie des semi-conducteurs », a déclaré Andy Hsu, fondateur et PDG de NEO Semiconductor et inventeur technologique accompli avec plus de 120 brevets américains. « Aujourd’hui, je peux dire avec confiance que Neo est devenir un leader incontesté sur le marché de la DRAM 3D. Notre invention, comparée à d’autres solutions sur le marché aujourd’hui, est très simple et moins coûteuse à fabriquer et à mettre à l’échelle. X-DRAM. »
L’ingéniosité de ce système est assez similaire à ce que l’on observe avec les transistors NAND Flash ou GAA. Et ce n’est rien de plus que de partir de la base conceptuelle de la cellule à corps flottant 2D typique de la DRAM, esthétiquement très similaire à un transistor commun et de la convertir en un système 3D où le corps flottant entoure le bit de données.
L’avantage de cette première étape est qu’avec juste un masque on peut définir les trous de la ligne de bit, qui est maintenant verticale. En gros, il est créé des couches superposées qui sont traversées par la ligne Bit, qui, comme nous l’avons dit, étant verticale, les interconnecte toutes et augmente la densité totale.
« L’évolution des architectures 2D vers les architectures 3D a présenté des avantages convaincants et extrêmement précieux pour la mémoire flash NAND, il est donc hautement souhaitable de parvenir à une évolution similaire pour la DRAM dans l’ensemble de l’industrie », a déclaré Jay Kramer, président de Network Storage Advisors. « La X-DRAM 3D innovante de NEO Semiconductor permet à l’industrie de la mémoire de tirer parti des technologies, nœuds et processus actuels pour améliorer les produits DRAM avec des architectures de type NAND 3D.
De plus, la X-DRAM 3D de NEO Semiconductor est la première structure de réseau de cellules DRAM de type NAND 3D basée sur la technologie des cellules à corps flottant sans condensateur . Il peut être fabriqué en utilisant le processus similaire à la NAND 3D actuelle, où selon les estimations de Neo, la technologie X-DRAM 3D peut atteindre une densité de 128 Go avec 230 couches, soit 8 fois la
densité DRAM actuelle. »
En revanche, pour le moment aucune mention n’est faite aux fréquences. Il faut donc espérer que nous avons au moins ce que la DDR5 nous propose aujourd’hui. Quoi qu’il en soit, les serveurs et machines ayant besoin de grosses capacités RAM vont véritablement profiter de cette technologie si elle se démocratise.
